Name: IPB039N10N3GE8187ATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPB039N10N3GE8187ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce: IPB039N10N3GE8187ATMA1

Výrobce: IR (Infineon Technologies)

Popis: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Kategorie: diskrétní polovodičové produkty

Rodina: tranzistory - fets, mosfety - jedn

Série: -

Na skladě: 0

Datasheety online: IPB039N10N3GE8187ATMA1 PDF

IPB039N10N3GE8187ATMA1 Oznámení

Chimicron je nezávislý distributor elektronických součástek. Máme spolehlivé zdroje elektronických součástek, prodáváme pouze nové a originální produkty a na naše produkty nabízíme 1letou záruku. Kupte si IPB039N10N3GE8187ATMA1 IR (Infineon Technologies) na chimicron.com. Nyní máme skladem 0 kusů IPB039N10N3GE8187ATMA1. Odešlete dotaz na IPB039N10N3GE8187ATMA1 nebo pošlete e-mail na adresu [email protected], do 24 hodin vás budeme kontaktovat.

Poptávka

Společnost

Kontakt *

telefon *

E-mailem *

Země

Množství *

Cílová cena (USD)

Obsah

Captcha

série:OptiMOS™
balík:Tape & Reel (TR)
stav dílu:Active
typ fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):100 V
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:160A (Tc)
napětí pohonu (max. rds zapnuto, min. rds zapnuto):6V, 10V
rds na (max.) @ id, vgs:3.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 160µA

nabíjení brány (qg) (max) @ vgs:117 nC @ 10 V
vgs (max.):±20V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:8410 pF @ 50 V
funkce fet:-
ztrátový výkon (max):214W (Tc)
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
typ montáže:Surface Mount
dodavatelský balíček zařízení:PG-TO263-7
balíček / pouzdro:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Lodní doprava	Dodací lhůta	U dílů, které jsou skladem, se odhaduje expedice objednávek do 3 dnů. Objednávky odesíláme jednou denně kromě neděle cca v 17:00. Po odeslání závisí odhadovaná doba doručení na níže vybraných kurýrech. DHL Express, 3–7 pracovních dní eCommerce DHL, 12–22 pracovních dní FedEx International Priority, 3–7 pracovních dní EMS, 10–15 pracovních dní doporučená letecká pošta, 15–30 pracovních dní
	Poštovné	Ceny dopravy pro vaši objednávku naleznete v nákupním košíku.
	Možnost dopravy	Poskytujeme mezinárodní přepravu DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express a Registered Air Mail.
	Sledování zásilky	Jakmile bude objednávka odeslána, budeme vás informovat e-mailem s číslem zásilky. Sledovací číslo najdete také v historii objednávek.

Vrácení / záruka	Vracející se	Vrácení zboží je běžně přijímáno, pokud je dokončeno do 30 dnů od data odeslání, kontaktujte prosím zákaznický servis pro autorizaci vrácení. Díly by měly být nepoužité a v originálním balení. Zákazník musí převzít náklady na dopravu.
Vrácení / záruka	Záruka	Všechny nákupy přicházejí s 30denní politikou vrácení peněz a 90denní zárukou na jakékoli výrobní vady. Tato záruka se nevztahuje na jakoukoli položku, u které byly vady způsobeny nesprávnou montáží zákazníkem, nedodržením pokynů zákazníkem, úpravou produktu, nedbalostí nebo nesprávnou obsluhou.

Doporučení pro vás

Číslo dílu	Popis	Skladem	Jednotková cena
NTMYS011N04CTWG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK	Na skladě: 300 024 000	$1.01000
APT6021BFLLG Roving Networks / Microchip Technology	MOSFET N-CH 600V 29A TO247	Na skladě: 0	$14.58000
FCB20N60TM Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK	Na skladě: 0	$4.02000
DMN3018SFGQ-7 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8	Na skladě: 0	$0.18124
DMP1022UFDF-7 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN	Na skladě: 0	$0.54000
FQI3N30TU Rochester Electronics	MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK	Na skladě: 1 146	$0.46000
BSS119NH6327XTSA1 IR (Infineon Technologies)	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3	Na skladě: 29 581	$0.55000
FDMC15N06 Rochester Electronics	MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP	Na skladě: 15 496	$0.63000
IRLML0060TRPBF IR (Infineon Technologies)	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23	Na skladě: 103 136	$0.51000
DMN6140L-13 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23	Na skladě: 54 222	$0.37000